В.А. Телец, д-р техн. наук, А.Ю. Никифоров, канд техн. наук, 22 ЦНИИИ МО РФ, ЭНПО “Специализированные электронные системы” (СПЭЛС)
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН И КОМПОНЕНТЫ ДАТЧИКОВ – ПЕРСПЕКТИВНАЯ
ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ
|
Интеграционные процессы в микроэлектронике привели к формированию
нового класса функционально сложных изделий – преобразователей физических
(физико-химических) величин и компонентов датчиков, который восполнил
недостающее звено в классификаторе группы однородной продукции “микросхемы
интегральные”. Уникальность изделий этого класса состоит в том, что в них могут быть конструктивно-технологически объединены все основные функциональные элементы электронного канала информационно-измерительной системы: от чувствительного элемента на входе схемы до усилителя, аналого-цифрового преобразователя, микропроцессора в тракте обработки информации и исполнительного устройства на выходе. |
На фоне конструктивно-технологических достижений в области электронной техники последних лет и связанных с нею измерительных и вычислительных средств оказались не так заметны результаты двух важных эволюционных процессов, произошедших на стыке метрологии и микроэлектроники.
Один из этих процессов непосредственно связан с результатами эволюции измерительных преобразователей или датчиков [1,2] в направлении их структурного усложнения, расширения функциональных возможностей и решаемых технических задач за счет перехода на перспективную элементную базу микроэлектроники, а также на новые технологии проектирования и производства (рис. 1).
|
|
|
Рис. 1. Взаимное влияние средств измерений и изделий микроэлектроники |
Другой эволюционный процесс является результатом интеграционных процессов в микроэлектронике, которые открыли принципиальные возможности конструктивно-технологического объединения в завершенном электронном устройстве всех основных функциональных узлов измерительно-информационного канала (рис. 2) [3]:
· чувствительных элементов (ЧЭ), воспринимающих измеряемую физическую (химическую) величину и осуществляющих ее первичное преобразование в электрические сигналы;
· устройств коммутации и нормализации сигналов – аналоговых мультиплексоров или аналоговых ключей и коммутаторов, устройств выборки и хранения (УВХ), операционных и измерительных усилителей, фильтров и др.;
· аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и компараторов напряжения (КН – как одноразрядных АЦП) как устройств вторичного преобразования аналоговых сигналов в эквивалентный им цифровой код;
· микропроцессорных (МП) средств цифровой обработки сигналов и схем обрамления – цифровых и логических схем, запоминающих устройств различных классов (ЗУ);
· цифроаналоговых преобразователей (ЦАП) для обратного преобразования цифровой информации в аналоговые сигналы;
· устройств вывода и распределения результирующих сигналов – устройств выборки и хранения, аналоговых коммутаторов-демультиплексоров – на актюаторы или другие исполнительные устройства (микросопла, поршни, двигатели, гироскопы, акселерометры и др.).
Таким образом, интеграционные технологические процессы в микроэлектронике привели к формированию нового класса изделий – преобразователей физических (физико-химических) величин и компонентов датчиков (ПФВ и КД) [4,5], которые восполнили недостающее звено в классификаторе групп однородной продукции “микросхемы интегральные” [6].
Совокупность конструктивно-технологических и функциональных особенностей микроэлектронных ПФВ и КД в полной мере соответствует определениям, установленным в [7] для терминов “интегральная микросхема” (ИС) и “компонент интегральной микросхемы”.
|
|
|
Рис. 2. Структура информационно-измерительного канала |
Факт появления указанного класса изделий микроэлектроники зафиксирован в [8-10], в соответствии с которым под ПФВ понимается устройство, предназначенное для восприятия и преобразования контролируемых параметров внешней среды в эквивалентный выходной электрический сигнал и не являющееся средством измерений.
На этапе эксплуатации ПФВ, используемые в качестве КД или другого самостоятельного измерительного устройства, реализуют предписанную функцию и могут проходить метрологическую аттестацию и калибровку по установленным в документации на поставку (техническим условиям) характеристикам преобразования (точностным параметрам).
В области средств измерений ПФВ и КД обеспечивают переход к так называемым “интеллектуальным” датчикам.
В области микроэлектроники появление ПФВ и КД свидетельствует о переходе от традиционных технологий, архитектур, алгоритмов, материалов и компонентов к комплексированным технологиям, новым физическим эффектам, “интеллектуализации” функциональных элементов и узлов, а в итоге – к формированию элементной базы микросистемной техники.
Уникальность микроэлектронных ПФВ и КД обусловлена не только особенностями их функционального построения, но и алгоритмическими, схемотехническими и конструктивно-технологическими новациями.
Появление в начале 90-х годов технических прообразов микроэлектронных ПФВ и КД вызывало в среде специалистов в области метрологии и датчикостроения терминологические дискуссии, возникающие по мере вхождения в обращение разнообразных и быстро приживающихся в технической литературе терминов-синонимов (“микроэлектронный датчик”, “интеллектуальный датчик”, “сенсор”, “'смарт-сенсор“', “чувствительный элемент датчика” и др.).
Судя по последним отечественным публикациям [11], проблема с терминологией остается нерешенной в указанной среде специалистов до настоящего времени.
Следует отметить, что и используемые ими термины, и сама тема дискуссии во многом привнесены зарубежными публикациями, в которых пока также мало ясности. В этом можно убедиться, анализируя существующие подходы к заданию технических требований в области микроэлектронных ПФВ и КД.
С началом активного внедрения изделий микроэлектроники в средства измерений выявились технические трудности этого процесса, связанные с уже отмеченными терминологическими проблемами, различием в используемых нормативных документах, метрологических аспектах, требованиях к параметрам и эксплуатационным характеристикам готовых изделий, порядке их установления, обеспечении и контроле качества и надежности, проведении испытаний [12].
С течением времени наиболее часто стал использоваться термин “микроэлектронный датчик”, т.е. датчик, выполненный на основе микроэлектронных технологий. Однако и он не выдержал проверки практикой.
Действительно, если рассматривать появление класса “микроэлектронных датчиков” только как результат эволюции измерительных преобразователей, то его следует относить к средствам измерений, которые в соответствии с действующими нормативными документами [13] подлежат метрологической аттестации (калибровке). Эта процедура в целом хорошо отработана и осуществляется, как правило, предприятиями-изготовителями или потребителями датчиков. Специфика метрологической аттестации (калибровки) такова, что датчики индивидуально или в составе партии однотипных образцов аттестуются метрологически в строгой увязке с конкретной технической задачей.
Очевидно, что такая традиционная практика соответствует только ранним этапам технического развития датчиков или справедлива по отношению к определенным их классам, которые характеризуются следующим:
· несовершенство технологии проектирования и изготовления и, как следствие, низкий уровень воспроизводимости от образца к образцу в составе партии вызывают необходимость компенсации разбросов основных параметров и метрологических характеристик путем индивидуальной подгонки до требуемых норм;
· низкая производительность процедуры индивидуальной подгонки и метрологической аттестации (калибровки) еще приемлема ввиду того, что потребность в датчиках при решении конкретных технических задач ограниченна и обеспечивается малосерийным производством.
Внедрение же массовых микроэлектронных технологий гарантирует воспроизводимость параметров и характеристик изделий от образца к образцу. Сколь бы функционально сложными не были современные измерительные преобразователи – датчики, они могут быть выполнены на основе базового, модифицированного или специального технологических процессов микроэлектроники.
Тем самым обеспечивается универсальность их применения за счет единства технических требований, системы обеспечения качества надежности, состава и методов испытаний.
Но вместе с тем нормативная база проектирования и производства изделий микроэлектроники не предполагает их калибровки, как это принято для средств измерений.
До недавнего времени предприятия-изготовители прототипов микроэлектронных ПФВ и КД, не аттестованные для проведения калибровки изготавливаемых изделий как средств измерений, находились в затруднительном положении, поскольку термины, определения, системы параметров и другие аспекты в сферах метрологии и микроэлектроники не были взаимоувязаны и стандартизованы.
В связи с этим можно утверждать, что появление ПФВ и КД как нового класса изделий микроэлектроники было логически предопределено и стало в известном смысле техническим компромиссом в указанных выше областях электронной техники. В основу этого компромисса положены:
· единство структурных схем и составов функциональных элементов измерительного и информационного каналов;
· идентичность операций по вводу, преобразованию, обработке и выводу информации измерительного и информационного каналов;
· возможность выбора идентичных параметров-критериев для оценки характеристик измерительного и информационного каналов, связанных с их производительностью (быстродействием, числом параллельных каналов) и потерями информации (погрешностями преобразования, измерения);
· возможность сочетания универсальности и особенностей применения, перспективность.
Действительно, какими бы функционально и технологически сложными не были микроэлектронные ПФВ и КД (например, за счет размещения в одном или нескольких кристаллах и изготовления в едином конструктивном исполнении ЧЭ, УВХ, КН и других аналоговых схем, АЦП и ЦАП, ЗУ, микропроцессоров и др.), они реализуют целевую функцию – измерительное преобразование. Качество ее выполнения оценивается уровнем технических и. прежде всего, точностных (или метрологических) параметров и характеристик канала информационно-измерительной системы (ИИС) в целом и его функциональных составляющих.
Поэтому микроэлектронные ПФВ и КД можно определить как изделия:
· самостоятельные с точки зрения выполнения предписанной функции, технических требований, испытаний, приемки, поставки, эксплуатации;
· не требующие метрологической аттестации (калибровки и поверки, за исключением случаев применений в качестве измерительных средств);
· осуществляющие функцию измерительного преобразования в условиях внешних воздействующих факторов.
Технический статус ПФВ и КД, как самостоятельного класса электронных приборов, подтверждается наличием единых классификационных признаков (функциональный состав, назначение) и возможностью сведения в единую систему терминов и определений, параметров и характеристик, принципов и порядка задания технических требований.
Обоснование технического статуса микроэлектронных ПФВ и КД потребовало их одновременной идентификации как в государственной системе промышленных приборов и средств автоматизации (ГСП – в части соответствия общим техническим условиям на средства измерений и управляющей вычислительной техники [14]), так и в государственной системе стандартов на изделия электронной техники (в части соответствия общим техническим условиям на микросхемы интегральные [15]) (рис. 3).
|
|
|
|
|
Рис. 3. Определение технического статуса микроэлектронных ПФВ и КД |
Установленное единство структуры и функционального состава ПФВ и КД [1,3-5,16,17] позволило выявить общность технологических процессов изготовления и технических требований к ним и как к средствам измерений (КД), и как к элементам управляющей вычислительной техники – интерфейсам (ПФВ).
Особое значение имело установление общности у средств измерений и ПФВ и КД по наличию точностных характеристик.
Так, в соответствии с [14] по “метрологическим свойствам изделия подразделяются на средства измерения и на изделия, не являющиеся средствами измерений”. При этом “изделия, не являющиеся средствами измерений, подразделяются на изделия, имеющие точностные характеристики, и на изделия, не имеющие точностных характеристик”. Очевидно, что к первой группе изделий относятся ПФВ и КД, которые, обладая точностными (метрологическими) характеристиками, в общем случае не являются средствами измерений.
Наличие точностных (метрологических) характеристик позволяет проводить не только контроль качества изделий класса ПФВ и КД при приемке и поставке готовой продукции (если они используются как элементная база ИИС), но и калибровку и поверку (если они используются как средства измерений).
Правомерность отнесения ПФВ и КД к изделиям микроэлектроники подтверждается идентичностью базовых технологических процессов их изготовления и конструктивного исполнения [1,18,19].
Важнейшим классификационным признаком микроэлектронных ПФВ и КД, закрепленным в [8], является вид преобразуемой (измеряемой) входной величины (температуры, давления, ионизирующего излучения, состава воздушной и жидкостной среды и др.), который определяет принцип преобразования (измерения) и выбор используемого при этом физического или химического эффекта [3].
Можно также утверждать, что единство целевых функций, состава и физической сути точностных (метрологических) характеристик средств измерений и ПФВ и КД указывает на единство параметров-критериев их качества, состав и определения которых сформулированы в [9].
Стандарт [9] построен таким образом, что изложенная в нем совокупность терминов и определений образует основу для последующего формирования системы важнейших параметров и характеристик ПФВ и КД. Более того, эта система становится составной частью общей параметрической системы [20], распространяющейся на всю группу однородной продукции “Микросхемы интегральные”.
Таким образом, с одной стороны, достигнуто соответствие состава параметров и характеристик ПФВ и КД требованиям основополагающих стандартов в области метрологии, а с другой – имеется возможность оценки и контроля их качества в процессе проектирования и микроэлектронного производства.
Наличие у микроэлектронных ПФВ и КД унифицированной системы параметров и характеристик обусловило возможность проведения комплексной стандартизации для формирования типажа данного класса изделий [21], важной составляющей которого является выбор и обоснование состава определяющих параметров, наиболее полно характеризующих их функциональные и физические свойства.
Определяющие параметры могут быть отнесены к входным, выходным, статическим, динамическим, энергетическим, конструктивно-технологическим, эксплуатационным, экономическим [22,23], которые описывают следующие характеристики.
Входные параметры – вид, форму, амплитуду и диапазон изменений входных сигналов, входные сопротивление и емкость, число каналов приема информации.
Выходные – вид, форму (аналоговую или цифровую), амплитуду, диапазон изменения, нагрузочную способность, число каналов распределения информации.
Статические – разрешающую способность (чувствительность), погрешности преобразования (отнесенные к статическим – основная, дополнительная, аддитивная, мультипликативная, аппроксимации, линейности и др.).
Динамические – быстродействие (время задержки прохождения сигнала через устройство), погрешности преобразования (отнесенные к динамическим – переходная и импульсная, от временной нестабильности и др.).
Энергетические – напряжения источников питания и опорных источников напряжения, сила тока потребления от указанных источников энергии, мощности рассеяния и потребления.
Конструктивно-технологические – вид исполнения (корпусное, бескорпусное, гибридно-модульное), значения статических потенциалов, связанных непосредственно с технологией исполнения и др.
Эксплуатационные – устойчивость к воздействию дестабилизирующих факторов (климатических – температуры, давления, влаги и т п.; специальных – ионизирующих излучений и агрессивных сред; механических – вибраций, линейных ускорений и т.п.; биологических – плесени, грибков; изменений значений питающих и опорных напряжений и др.).
Экономические – затраты на проектирование, серийное производство и эксплуатацию.
Принципы распространения на ПФВ и КД технических требований, регламентированных для интегральных микросхем по оценке и контролю качества, надежности, проведению испытаний, приемке и поставке (последняя редакция [15]), в общем виде сформулированы еще в [24].
Практика показала допустимость и целесообразность введения указанных технических требований для различных классов ПФВ и КД с учетом их классификационных особенностей, изложенных в дополнениях к нормативным документам вида “Общие технические условия” на микросхемы интегральные (корпусные, бескорпусные, гибридно-модульные) [22,23]. Это означает, что на микроэлектронные ПФВ и КД могут и должны распространяться как общие технические требования к качеству, надежности (минимальная наработка, гамма-процентный ресурс, сохраняемость, порядок приемки, методы контроля, гарантии и др.) и радиационной стойкости, установленные для данной группы однородной продукции [25,26], так и специальные требования, установленные в соответствующих дополнениях (рис. 4).
|
|
|
Рис. 4. Принцип формирования системы нормативных документов для микроэлектронных ПВФ и КД |
Это могут быть требования по устойчивости к воздействию механических, климатических, биологических и специальных факторов с учетом видов и диапазонов преобразуемых (измеряемых) и влияющих физических (химических) величин, а также видов конструктивно-технологического исполнения изделий и условий эксплуатации [10,26].
Для конкретных классов (типов) ПФВ и КД состав подгрупп, виды, последовательности и режимы испытаний могут быть изменены, а отдельные виды испытаний – проводиться по специальным методам (методикам) [27-29].
В технически обоснованных случаях к ПФВ и КД в зависимости от видовых групп их исполнения и рабочих диапазонов входных и/или влияющих физических (химических) величин могут быть установлены иные требования по надежности (например, значения наработки до отказа), а также режимам и условиям эксплуатации (в том числе – облегченным).
К специальным техническим требованиям могут быть отнесены дополнительные условия защиты ПФВ и КД при эксплуатации в аппаратуре. К таким условиям, в частности, может относиться защита поверхности изделий лаковым покрытием. Тогда (например, для ПФВ и КД давления, влаги и др.) должны быть введены требования, исключающие нанесение лака в непосредственной близости или в зоне функциональных отверстий в корпусе. Во всех случаях защитные покрытия не должны оказывать влияния на чувствительность ПФВ и КД к входной преобразуемой (измеряемой) физической (химической) величине.
Исследования вариантов постановки и решения рассматриваемых технических задач в мировой практике позволили выявить косвенные примеры использования аналогичного методологического подхода, хотя число таких примеров невелико.
Так, в публикациях фирмы Motorola Inc. (США) [30,31] без указания группы однородной продукции (но с оговорками о возможных критических замечаний по этому поводу) делается попытка формирования единых требований к характеристикам качества и надежности, методам и содержанию испытаний электронных датчиков давления, вводится стандартизованный состав их параметров.
Там же указывается на проблемы задания технических требований к электронным датчикам из-за отсутствия четкой их классификационной идентификации как изделий, отмечается разрозненность действующих стандартов (в медицине, автомобильной промышленности, военной технике и др.) и отсутствие общепромышленных основополагающих нормативных документов для кремниевых датчиков давления.
Специалисты фирмы Motorola Inc. в качестве нормативного документа, устанавливающего технические требования к электронным датчикам (в [30] – sensor) давления, используют стандарт MIL-STD-750, областью распространения которого являются дискретные полупроводниковые приборы.
Однако по их собственным оценкам этот стандарт не позволяет учитывать существующие различия между дискретными полупроводниковыми и более сложными микроэлектронными приборами, к которым относятся электронные датчики давления, объединяющие в составе функциональной схемы ЧЭ и схемы нормализации сигнала о преобразованной входной физической величине.
При оценке качества электронных датчиков температуры фирмы Analog Devices (США) [32] уже используются отдельные положения стандартов MIL-M-38510 (общие технические условия) и MIL-STD-883 (методы испытаний), областью распространения которых являются изделия микроэлектроники. В частности, для технического описания изделий применена система параметров, близкая к системе параметров интегральных микросхем.
Однако и в этом случае была предпринята попытка локального решения проблемы, которое не направлено на получение результата в области стандартизации и унификации терминов и определений, системы параметров ПФВ и КД, требований к обеспечению их качества и надежности, методам испытаний.
Таким образом, с достаточной долей уверенности можно констатировать, что представленное выше обоснование необходимости формирования и развития нового класса изделий микроэлектроники – ПФВ и КД – и методологический подход к заданию для них технических требований являются в законченном виде сформулированной отечественной технической новацией.
На основании изложенного справедливыми представляются следующие выводы.
1. Измерительная техника является одной из важнейших, но не единственной областью применения микроэлектронных ПФВ и КД, которые в общем случае не являются средствами измерений, а представляют собой элементную базу для их построения, равно как и для построения электронных устройств преобразования и обработки информации в составе ИИС.
2. Конструктивно-технологические и схемотехнические достижения в области микроэлектроники обеспечивают реализацию в составе функциональных узлов ПФВ и КД различных электронных устройств (от чувствительных элементов на основе полупроводниковых приборов до функционально сложных аналоговых и аналого-цифровых схем, средств цифровой и вычислительной техники, исполнительных устройств – актюаторов).
3. Совокупность функциональных и конструктивно-технологических особенностей микроэлектронных ПФВ и КД позволяет рассматривать этот перспективный класс изделий в качестве основы элементной базы микросистемной техники.
Список литературы
1. Чаплыгин Ю.А. Конструктивно-технологический базис микроэлектронных датчиков / Измерительная техника. 1994. № 11. С. 10-13.
2. Валиев К.А., Орликовский А.А. Технологии СБИС. Основные тенденции развития / Электроника наука, технология, бизнес. 1996. № 5-6. С. 26-47.
3. Никифоров А.Ю., Подлепецкий Б.И., Телец В.А. Перспективы развития и особенности применения микроэлектронных компонентов датчиков в военной технике / Тез. докл. VII всероссийской научно-техн. конф. “Датчик–95”. Т. 3. Гурзуф. 1995.
4. Критенко М.И., Телец В.А., Комаров Д.А. Микроэлектронные датчики – элементная база робототехники / Тез. докл. научно-техн. конф. “Микроэлектроника и информатика”. Зеленоград. 1993.
5. Телец В.А., Гамкрелидзе С.А., Комаров Д.А. Интеллектуальные датчики как новый класс элементной базы нейронных систем / Тез. докл. научно-техн. конф. “Нейрокомпьютеры и их применении”. Москва. 1996.
6. ОСВ 11 073.915. Микросхемы интегральные. Классификация и система условных обозначений. М.: ГУП ЦКБ “Дейтонн”. 1999.
7. ГОСТ 17021. Микросхемы интегральные. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов. 1988.
8. ОСТ 11.0941. Преобразователи физических величин электронные. Классификация и система условных обозначений. Санкт-Петербург: РНИИ “Электронстандарт”. 1995.
9. РОСТ Р 51068. Датчики и преобразователи физических величин электронные. Термины и определения. М.: Госстандарт России. 1996.
10. Новый комплекс государственных военных стандартов на электрорадиоизделия / Ю.И.Степанов, М.И.Критенко, М.А.Бедрековский, В.В.Голубев / Технологическое оборудование и материалы. 1998. № 4. С. 27-29.
11. Цапенко М.П., Клисторин И.Ф., Алейников А.Ф. Датчики (функции восприятия входных величин и формирование измерительных сигналов) / Датчики и системы. 2000. № 1. С. 17-18.
12. Кузин А.Ю., Строителев В.Н. Направления совершенствования систем контроля на основе датчиков / Тез. докл. научно-техн. конф. “Датчик-93”. Гурзуф. 1993.
13. ГОСТ 16263-89. Метрология. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов.
14. ГОСТ 12997-91. Изделия ГСП. Общие технические условия. М.: Изд-во стандартов.
15. ОСТ В 11.0998-99. Микросхемы интегральные. Общие технические условия. Мытищи: 22 ЦНИИИ МО РФ.
16. Телец В.А., Комаров Д.А. Датчики в системах управления технологическими процессами / Тез. докл. межрегиональной научно-техн. конф. “Комплексное математическое и физическое моделирование. Обеспечение надежности электронных приборов и аппаратуры”. Бердянск. 1994.
17. Никифоров А.Ю., Телец В.А. Микроэлектронные преобразователи физических величин и компоненты датчиков как основа элементной базы микросистемной техники / Тез докл. Всероссийской научно-техн. конф. с международным участием “Сенсоры и микросистемы”. Санкт-Петербург. 2000.
18. Телец В.А., Комаров Д.А. Определение метрологических характеристик электронных датчиков на основе моделирования их взаимосвязей с характеристиками технологического процесса изготовления микросхем / Тез. докл. научно-техн. совещания “Электроника и информатика”. Нижний Новгород – Астрахань. 1992.
19. Подлепецкий Б. И. Интегральные полупроводниковые сенсоры состояние и перспективы разработок / CHIP-news. Новости о микросхемах. 1996 № 6-8. С. 38-45.
20. ГОСТ В 19480-80. Микросхемы интегральные. Система параметров. М.: Изд-во стандартов.
21. Программа комплексной стандартизации “Датчики электронные и преобразователи физических величин электронные” (проект). Санкт-Петербург: РНИИ “Электростандарт”. 1996.
22. Никифоров А.Ю., Подлепецкий Б.И., Телец В.А. Микроэлектронные компоненты датчиков и преобразователей – подход к формированию системы нормативных документов / Тез докл. научно-техн. конф. “Датчик-97”. Гурзуф. 1997.
23. Никифоров А.Ю., Подлепецкий Б.И., Телец В.А. Принципы формирования системы нормативных документов на микроэлектронные компоненты датчиков / Измерительная техника. 1997. № 3. С. 12-15.
24. Мальцев П.П., Телец В.А. О возможности использования основных положений ОТУ на интегральные микросхемы для создания НТД на датчики в микроэлектронном исполнении / Тез. докл. научно-техн. совещания “Электроника и информатика”. Нижний Новгород – Астрахань. 1992.
25. Nikiforov A.Y., Telets V.A., Gromov D.V. Microelectronic Approach to Smart Sensor Quality, Reliability and Radiation Hardness Regulation and Assurance / Proceedings 3rd Workshop on Electronics for LHC Experiments. England. 1997.
26. Никифоров А.Ю., Телец В.А. Методический подход к заданию требований, контролю и прогнозированию радиационной стойкости интегральных преобразователей информации / Радиационная стойкость электронных систем СТОЙКОСТЬ-99, Москва, 1999.
27. Ultraviolet Sensors Based on the
Natural Diamond / D.V.Gromov P.P.Maltsev, A.Y.Nikiforov, V.A.Telets e. a.
/ Result in Proceedings of “Eurosensors X”. The 10th European Conference on
solid-state Transducers. V. 5.
28. Nikiforov A.Y., Telets V.A., Figurov V.S., Bekishev A.T. Thermal Sensor Radiation Hardness Tests Technique and Results / Proc/ of Eurosensors X The 10th European Conf. on Solidstate Transducers, Sept/ 8-11, 1996, Leuven, Belgium. V. 1. P. 315-318.
29. Nikiforov A.Y., Telets V.A., Figurov
V.S. Thin-Film Ther-mo-Resistor Radiation Hardness Experimental Results / 1997
IEEE Radiation Effects Data Workshop,
30. Motorola Pressure Sensor. Device
Data. DL 2000. Rev. 1. Q 1/94 Motorola Inc. 1998.
31. Senseon Sense the Possibilities.
Sensor Products. DQ 2. SG162/D. Rev. 25. Motorola Inc. 1998.
32. Analog Devices Product Data Design – in reference manual. Rev. B.S. 19.Sensor and Signal Conditioners. 1996.
| Наверх |